低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于CMP拋光液的原位分散性檢測

CMP 全稱(chēng)為 Chemical Mechanical Polishing，即化學(xué)機械拋光。該技術(shù)是半導體晶圓制造的bi備流程之一，對高精度、高性能晶圓制造至關(guān)重要。拋光液的主要成分包括研磨顆粒、PH值調節劑、氧化劑、分散劑等。從成分中我們就大概知道了拋光液是一種對分散要求很高的納米材料懸浮液，所以研磨過(guò)程中對顆粒的尺寸變化以及顆粒在懸浮液中的分散性都有著(zhù)極其嚴苛的要求。

低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)用于懸浮液中顆粒尺寸變化和顆粒分散性檢測

低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)以水分子（溶劑）為探針，可以實(shí)時(shí)檢測懸浮液體系中水分子的狀態(tài)變化。

低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以區分出納米顆粒與溶劑的固液界面間那一層薄薄的表面溶劑分子，當顆粒尺寸或顆粒分散性發(fā)生變化時(shí)，顆粒表面的溶劑分子也會(huì )發(fā)生相應的變化。

低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可以靈敏的檢測到這這種變化狀態(tài)和變化過(guò)程，從而可以快速地評價(jià)例如拋光液以及相關(guān)懸浮液樣品的分散性和懸浮液中顆粒尺寸的變化過(guò)程。

低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)與傳統氮氣吸附法有哪些差異？

在低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)還未應用于拋光液領(lǐng)域之前，一般常用的方法是用氮氣吸附法來(lái)表征顆粒的比表面積。但是在實(shí)際的研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中，研究人員發(fā)現就算氮氣吸附法表征的研磨顆粒的比表面積非常穩定，拋光過(guò)程中還是會(huì )發(fā)生拋光液性能不穩定的情況。

而這種情況很可能是研磨顆粒在溶劑體系中發(fā)生了團聚，進(jìn)而發(fā)生了尺寸上的變化而導致最終研磨性能的問(wèn)題。低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)可直接用于研磨液原液的分散性檢測，可以快速評價(jià)懸浮液體系的分散性而被廣泛應用于CMP拋光液的研發(fā)與生產(chǎn)控制中。

低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)還能用于哪些領(lǐng)域？

低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)除了用于半導體CMP拋光液，還可以用于國家正大力扶持的新能源電池漿料，光伏產(chǎn)業(yè)的導電銀漿，石墨烯漿料，電子漿料等新材料領(lǐng)域。這些方向都非常適合采用低場(chǎng)核磁弛豫技術(shù)來(lái)研究其原液的分散性、穩定性。

低場(chǎng)核磁弛豫分析儀：